IM Flash Technologies, совместное предприятие Intel и Micron, анонсировало новую технологию флэш-памяти типа NAND, которая приблизительно в пять раз быстрее памяти существующей на данный момент. Новая высокоскоростная разработка позволит вести запись информации со скоростью до 100 Мбайт в секунду, а скорость чтения составит умопомрачительные 200 Мб/c. Новая NAND память будет основана на спецификации ONFI 2.0, которая позволит значительно расширить пропускную способность интерфейса. // Ferra.ru
Intel намерена активно продвигать данную технологию на цифровом рынке, новшество позволит значительно расширить производительность флэш-памяти, что позволит активно внедрять новые интерфейсы, наподобие грядущей USB 3.0.
NAND технология уже используется компанией Micron в изготовлении 8Гбайт чипов, выход которых намечен на вторую половину этого года. Новые устройства будут производиться на основе 50-нм техпроцесса, и их производительность будет на недосягаемом, на данный момент уровне. Правда есть вероятность того, что цены на новую память будут достаточно высоки, но большие возможности всегда стоят больших денег.